中国大学MOOC:"N沟道场效应管的漏极电流由_______的漂移运动形成。";
"电子";
举一反三
内容
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N沟道场效应管的电流ID是由沟道中（）在漏源极之间电场作用下运动形成的。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴
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中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。
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场效应管的漏极电流是由少子的运动形成的
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某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。 A: P沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: P沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管
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N 沟道 MOSFET涉及到______的漂移作用，形成漏极电流。 A: 电子 B: 空穴 C: 电子和空穴 D: 离子