• 2022-06-14
    抑制性突触后电位(IPSP)的产生主要是提高了突触后膜对()离子的通透性
    A: Na+
    B: K+
    C: Cl-
    D: Ca2+
    E: Mg2+
  • C

    内容

    • 0

      导致突触后膜产生抑制性突触后电位的离子主要是 A: K+ B: Na+ C: Cl- D: Ca2+ E: Mg2+

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      抑制性突触后电位的产生,主要是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性?() A: K+,Cl-,尤其是K+ B: Ca2+,Cl-,尤其是Ca2+ C: Na+,Cl-,尤其是Na+ D: K+,Cl-,尤其是Cl- E: K+,Ca2+,尤其是Ca2+

    • 2

      抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列那些离子通透性增加所致 A: Na+、Cl-、K+,尤其是K+ B: K+、Cl-,尤其是Cl- C: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+ D: Na+、K+,尤其是Na+ E: K+、Mg2+尤其是Mg2+

    • 3

      IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 A: Na+ B: Ca2+ C: K+ D: Cl-

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      突触前膜释放抑制性递质,使突触后膜对( )增加。 A: Na+﹑K+﹑Cl-(尤其是Na+)通透性 B: Na+﹑K+﹑Ca2+(尤其是Ca2+)通透性 C: K+﹑Cl-(尤其是Cl-)通透性 D: Na+﹑Cl-﹑Ca2+(尤其是Cl-)通透性