抑制性突触后电位主要是通过提高突触后膜对哪些离子的通透性起作用的（）
A: Na+
B: K+
C: Ca2+
D: Mg2+
E: Cl-
A: Na+
B: K+
C: Ca2+
D: Mg2+
E: Cl-
举一反三
- 抑制性突触后电位主要是通过提高突触后膜对哪些离子的通透性起作用的（） A: Na+ B: K+ C: Ca2+ D: Mg2+ E: Cl-
- 抑制性突触后电位(IPSP)的产生主要是提高了突触后膜对（）离子的通透性 A: Na＋ B: K＋ C: Cl－ D: Ca2＋ E: Mg2＋
- 导致突触后膜产生抑制性突触后电位的离子主要是 A: K+ B: Na+ C: Cl- D: Ca2+ E: Mg2+
- 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列那些离子通透性增加所致 A: Na+、Cl-、K+,尤其是K+ B: K+、Cl-,尤其是Cl- C: Ca2+、K+、Cl-,尤其是Ca2+ D: Na+、K+,尤其是Na+ E: K+、Mg2+尤其是Mg2+
- 抑制性突出后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性 A: Na+、K+、Cl-，尤其是K+；后膜超级化 B: Na+、K+，尤其是Na+；后膜去极化 C: Cl-、K+，尤其是Cl-；后膜超级化 D: K+、Ca2+、Na+，尤其是Ca2+；后膜复极化 E: K+、Mg2+，尤其是Mg2+后膜反极化