(2018年浙江省第三次联考)SRAM的特点有()
A: SRAM存储单元的基本结构是一个双稳态电路,由写电路控制读、写的转换
B: SRAM不需要电流刷新
C: 相比DRAM,SRAM读写速度慢
D: SRAM一般用在高速缓冲存储器等场合
A: SRAM存储单元的基本结构是一个双稳态电路,由写电路控制读、写的转换
B: SRAM不需要电流刷新
C: 相比DRAM,SRAM读写速度慢
D: SRAM一般用在高速缓冲存储器等场合
举一反三
- 有关DRAM与SRAM，下面说法中正确的是（） A: DRAM存储单元的基本结构是一个双稳态电路，需要电流刷新 B: 一般把DRAM用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合 C: DRAM即通常所说的内存 D: 与DRAM相比，SRAM的特点是读写速度快、存储容量小、价格高
- MOS半导体存储器中,____可大幅度提高集成度,但由于____操作,外围电路复杂,速度慢。() A: DRAM,读写 B: SRAM,读写 C: DRAM,刷新 D: SRAM,刷新
- 下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM 存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是 A: Ⅰ和Ⅱ B: Ⅱ和Ⅲ C: Ⅲ和Ⅳ D: Ⅰ和Ⅳ
- 用MOS器件构成的RAM可分为静态读写存储器(SRAM)和动态读写存储器(DRAM)。SRAM的存储元由____构成,DRAM的存储元由____构成,需要不断地刷新。
- 下列有关 SRAM 和 DRAM 的叙述中,不正确的是① SRAM 和 DRAM 的存储机理相同,都采用触发器记忆② DRAM 的集成度不如 SRAM 的集成度高③ SRAM 不需要刷新,DRAM 需定期刷新④ SRAM 和 DRAM 都是随机读写存储器 A: 仅①② B: 仅②3④ C: 仅③④ D: 仅②③