抑制性突触后电位是突触后膜对K+通透性增高所致。
举一反三
- 抑制性突触电位产生的机制是（） A: 突触前膜释放抑制性递质 B: 递质与突触后膜受体结合 C: 突触后膜对C1<sup>-</sup>通透性增加 D: 后膜去极化
- 关于抑制性突触后电位(IPSP)产生的叙述,哪一项是错误的? A: 突触后膜对K+、Cl-,特别对K+的通透性升高 B: 突触前膜释放抑制性递质,并与突触后膜受体结合 C: 对突触后神经元产生抑制效应 D: 突触后膜产生超极化 E: Ca2+由膜外进入突触前膜内
- 由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括（） A: 兴奋性突触后电位和局部电位 B: 抑制性突触后电位和局部电位 C: 兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位 D: 兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位 E: 兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
- 突触的兴奋性递质与突触后膜受体结合,主要使后膜() A: 对Ca2＋通透性增高 B: 对K＋通透性增高 C: 对Na＋通透性增高 D: 对Cl－通透性增高
- 抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生？ A: Ca2+； B: Na+； C: K+； D: Cl-和K+。