[tex=1.857x1.0]wISOkwvZg4HGzkQvn7zN3w==[/tex] 型单片机内部有[input=type:blank,size:4][/input]的 [tex=2.5x1.0]R9d3KwGCe3LvSxH+g5x1CQ==[/tex]。[tex=3.714x1.0]E/iTB9YaAWN6x7vJXvYLtg==[/tex] [tex=3.714x1.0]+Ok4sD8XClm8nn5s4UIWVg==[/tex] [tex=3.857x1.0]QcsoEHl6b+50r8wV3rLKjg==[/tex] [tex=3.786x1.0]mkpQXttkTCGu38Do3wBtpQ==[/tex]
举一反三
- 设随机变量 [tex=0.929x1.286]uswT/CEcOIwMpCvTz/zeaA==[/tex] 服从参数 [tex=3.143x1.286]+YbFeYrJMNsGfJf0KraF7SPelDX5xgqsp9CtXCLBwA8=[/tex] 的指数分布,则 E(X)= [input=type:blank,size:4][/input], D(X) =[input=type:blank,size:4][/input].
- 若某存储器芯片地址线为 [tex=1.0x1.0]vtBa9L8pY2+8e14UyeHssw==[/tex] 根，那么它的存储容量为[input=type:blank,size:4][/input]。[tex=3.714x1.0]UpAQ+c3uy5LKG0nXYpxtaQ==[/tex][tex=3.714x1.0]cbSK7UpPcset8HhG0LCuZw==[/tex][tex=3.714x1.0]as4x3JdnQxKIdJNIj/L9zg==[/tex][tex=3.786x1.0]mkpQXttkTCGu38Do3wBtpQ==[/tex]
- [tex=2.5x1.0]R9d3KwGCe3LvSxH+g5x1CQ==[/tex]按照存储信息写入方式的不同可分为[input=type:blank,size:4][/input][tex=2.5x1.0]R9d3KwGCe3LvSxH+g5x1CQ==[/tex]、[input=type:blank,size:8][/input][tex=3.143x1.0]6LVLRdyPzOzrwVbTIZ50jg==[/tex]、[input=type:blank,size:16][/input]的[tex=3.929x1.0]r4FtyG9LhvGvJZXsbB9m/w==[/tex]和[input=type:blank,size:14][/input]的[tex=4.357x1.214]iSWMoXHA4w1RXHO5xokHLA==[/tex]。
- 指出下列电磁辐射所在的光谱区(光速为 [tex=6.429x1.5]1/2H66qmeWP9GenrBNTr2ZhpKiB6H1DdgqtszgSMkTvraIr8dWHn2x3yptmT5H2n[/tex] ) :(1) 波长 [tex=3.714x1.0]StDJXnR43RPspiIKObZzuw9O/dLrVHZu8RJRRAY8kSU=[/tex][input=type:blank,size:4][/input]; (2) 波数 [tex=3.714x1.214]8VzQUldHmwJWvVKk4pz6jk4Am8tzuR2InQyVnni/Bbo=[/tex][input=type:blank,size:4][/input];（3）频率[tex=5.143x1.357]uZDMs7g7gUrO1odXQeZ4JgUgtCwdZjGo6H7tPYh7EJh/4QDeDY5W0+Pdyym88s5X[/tex][input=type:blank,size:4][/input]；(4)波长 [tex=2.929x1.0]fh1smEHXU8S6milYZ79dbP7Y0MTZvW00Ph9YYS+SEPk=[/tex][input=type:blank,size:4][/input]。
- 设随机变量X服从[tex=1.929x1.286]HmmJCe8jMYQ7Qi5trX1Z2w==[/tex]上的均匀分布，[tex=5.071x1.286]HnGQba3HT3pL1+jP5xuvNg==[/tex]，则[tex=3.429x1.286]L9cosNMXc0MsOViIFfI1Kw==[/tex][input=type:blank,size:4][/input]。