某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]17de92640a9c172.png[/img]
A: 增强型NMOS
B: 耗尽型NMOS
C: N沟道结型
D: 耗尽型PMOS
A: 增强型NMOS
B: 耗尽型NMOS
C: N沟道结型
D: 耗尽型PMOS
B
举一反三
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04cb3f602.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示，则该管是______场效应管。[img=279x228]18030e04696731b.png[/img] A: 增强型NMOS B: 耗尽型NMOS C: N沟道结型 D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图3.3.1所示,则该管是()场效应管[img=358x273]17b0c8509359bb2.png[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的转移特性如图所示。则该管是 场效应管。 [img=154x151]1802d1f454d8351.jpg[/img] A: 增强型NMOS B: 增强型PMOS C: 耗尽型NMOS D: 耗尽型PMOS
- 某场效应管的IDSS为6mA，而ID从漏极流出，大小为8mA，则该管为： A: N沟道结型管 B: P沟道结型管 C: 耗尽型PMOS管 D: 耗尽型NMOS管 E: 增强型PMOS管 F: 增强型NMOS管
内容
- 0
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是[img=94x80]17e441441880b11.png[/img] A: 增强型PMOS B: 增强型NMOS C: 耗尽型PMOS D: 耗尽型NMOS
- 1
某场效应管的转移特性如图 所示，则该管为（）[img=162x95]17e0b479a0077f1.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: N沟道增强型MOS管 C: N沟道结型场效应管 D: P沟道增强型MOS管
- 2
已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是 A: 增强型PMOS B: 增强型NMOS C: 耗尽型PMOS D: 耗尽型NMOS
- 3
某场效应管的转移特性如图所示，该管为(）。[img=256x285]17e0b23d217ddc7.png[/img] A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道结型场效应管 D: N沟道耗尽型MOS管
- 4
某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。 A: P沟道增强型MOS管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: N沟道耗尽型MOS管