同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
举一反三
- 中国大学MOOC: 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。
- 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，NMOS管的跨导更大。
- CMOS负载管为___，倒相管为___，两个管各自的______短接。（ ） A: PMOS，NMOS，衬底和源端 B: PMOS，NMOS，衬底和漏端 C: NMOS，PMOS，衬底和源端 D: NMOS，PMOS，衬底和漏端
- CMOS反相器的组成是由PMOS管和NMOS管互补对称连接起来的,将PMOS管的栅极G1和NMOS管的栅极G2接在一起作输入,而其输出则是( )连接起来。 A: PMOS管的源极S1和NMOS管的源极S2 B: PMOS管的源极S1和NMOS管的漏极D2 C: PMOS管的漏极D1和NMOS管的源极S2 D: PMOS管的漏极D1和NMOS管的漏极D2
- 3输入CMOS或非门需要3个NMOS管和3个PMOS管，3个NMOS的漏源并联并且接地，3个PMOS的漏源串联并且接电源的正极。