同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，NMOS管的跨导更大。
举一反三
- 中国大学MOOC: 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。
- 同一CMOS工艺下，沟道尺寸(W、L)相同的PMOS晶体管和NMOS晶体管，如果漏源电流大小相同，则NMOS管的跨导更大。 A: 正确 B: 错误
- CMOS反相器输入高电平时，NMOS管导通，PMOS管截止。()
- CMOS反相器电路是由（）各一个器件构成的 A: 增强型PMOS工作管和耗尽型NMOS负载管 B: 增强型NMOS管和耗尽型PMOS管 C: 增强型NMOS工作管和增强型PMOS负载管 D: 增强型PMOS管和耗尽型NMOS管
- 当输入高电平时，CMOS反相器的NMOS管和PMOS管都导通。