列表比较兴奋性突触后电位(EPSP)和抑制性突触后电位(IPSP) 比较项目 EPSP IPSP 突触前神经元性质 前膜释放递质 后膜离子流 后膜电位变化 突触后神经元效应
举一反三
- 当突触前末梢释放的递质与突触后膜结合后（）。 A: 兴奋性递质引起突触后膜产生EPSP B: 兴奋性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 C: 抑制性递质引起突触后膜产生IPSP D: 抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位 E: 兴奋性递质提高突触后膜对Na和K的通透性
- 突触前神经元（+），在突触后膜上产生的电位变化有( ) A: AP B: 终板电位 C: 发生器电位 D: EPSP E: IPSP
- 当突触前末梢释放的递质与突触后膜结合后 A: 兴奋性递质引起突触后膜产生EPSP B: 兴奋性递质提高突触后膜对Na+和K+的通透性 C: 抑制性递质引起突触后膜产生IPSP D: 抑制性递质直接引起突触后神经元产生一个动作电位
- 列表比较突触后抑制和突触前抑制。 比较项目 突触后抑制 突触前抑制 结构基础 抑制部位 前膜释放递质 后膜电位变化 突触后神经元兴奋性 生理意义
- 突触前抑制产生的机制是 A: 突触前神经元阈电位水平抬高 B: 突触前末梢兴奋性递质释放减少 C: 突触前末梢释放抑制性神经递质 D: 突触后膜产生IPSP