18.在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的( )向P区运动,P区的( )向N区运动,正确的是( )。
A: 多子 多子
B: 少子 电子
C: 多子 少子
D: 电子 空穴
A: 多子 多子
B: 少子 电子
C: 多子 少子
D: 电子 空穴
举一反三
- 在足够能量的太阳光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动。(<br/>)
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下，N区的空穴向P区运动，P区的（）向N区运动。
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的__1__向P区运动,P区的 ____向N区运动。
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。 A: 电子 B: 空穴 C: 质子 D: 光子
- 在足够能量的光照射太阳电池表面时,在P-N结内建电场的作用下,N区的向P区运动,P区的向N区运动。() A: 空穴,自由电子 B: 空穴,空穴 C: 自由电子,空穴 D: 自由电子,自由电子