1.下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。
A: P型半导体中，费米能级靠近导带
B: 在热平衡下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级
C: N型半导体中，费米能级靠近价带
D: 在外加电压下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级
A: P型半导体中，费米能级靠近导带
B: 在热平衡下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级
C: N型半导体中，费米能级靠近价带
D: 在外加电压下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级
B
举一反三
- 关于费米能级,正确的说法是( ) A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关 C: P型半导体的费米能级靠近导带底部 D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心
- 下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。 A: 费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
- 热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在导带底和本征费米能级之间，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离本征费米能级近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
- 在热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在禁带中，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离价带顶近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
内容
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一般情况下，P型半导体的费米能级（）N型半导体的能级。
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p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
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室温下,对于某n型半导体,其费米能级在其本征半导体的费米能级之下
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当温度一定时，杂质半导体的费米能级主要由什么因素决定？试把强n，弱n型半导体与强p，弱p半导体的费米能级与本征半导体的费米能级比较。
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对于N型半导体来说，以下说法正确的是（） A: 费米能级靠近导带底 B: 空穴为多子 C: 电子为少子 D: 费米能级靠近靠近于价带顶