关于费米能级,正确的说法是( )
A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级
B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关
C: P型半导体的费米能级靠近导带底部
D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心
A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级
B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关
C: P型半导体的费米能级靠近导带底部
D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心
A,D
举一反三
- 热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在导带底和本征费米能级之间，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离本征费米能级近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
- 1.下列关于半导体材料中费米能级位置的正确的说法是（ ）。 A: P型半导体中，费米能级靠近导带 B: 在热平衡下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级 C: N型半导体中，费米能级靠近价带 D: 在外加电压下，PN结两边的半导体具有同一条费米能级
- 下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。 A: 费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 关于“准费米能级”，说法正确的是： A: ”准费米能级“包括价带费米能级和导带费米能级，属于局部费米能级。 B: 非平衡载流子越多，准费米能级偏离费米能级越远。 C: 多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏离较多。 D: 少数载流子的准费米能级偏离平衡时的费米能级较小。
内容
- 0
n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
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以下关于“费米能级”的说法正确的是? A: 费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线 B: 费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况 C: 费米能级是导带和价带的一个分界线 D: 费米能级标志着电子填充导带的水平 E: 处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
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以下关于“费米能级”的说法正确的是? A: 费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上空着的一个分界线 B: 费米能级的位置比较直观的反映了电子占据量子态的状况 C: 费米能级标志着电子填充能级的水平 D: 费米能级是导带和价带的一个分界线 E: 费米能级标志着电子填充导带的水平 F: 费米能级标志着电子填充价带的水平 G: 处于热平衡状态的电子系统不具有统一的费米能级
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关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
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p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级