IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,
举一反三
- IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,( ) A: IGBT速度更快,电流更大 B: IGBT速度较慢但电流更大 C: lGBT的控制门极输入电阻更高 D: IGBT的耐压能力与 MOSFET一样
- 以下关于IGBT说法错误的是（ ）。 A: IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件 B: IGBT开关速度高于电力MOSFET C: IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 D: IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
- 开关电源按其所用开关器可分为IGBT开关电源、双极型晶体管开关电源和（）开关电源。 A: MOSFET管 B: 二极管 C: 三极管 D: 单结晶体管
- 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是 和 复合而成。 A: GTR B: MOSFET C: GTO D: SCR
- 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是: A: GTO B: IGBT C: GTR D: MCT