IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,( )
A: IGBT速度更快,电流更大
B: IGBT速度较慢但电流更大
C: lGBT的控制门极输入电阻更高
D: IGBT的耐压能力与 MOSFET一样
A: IGBT速度更快,电流更大
B: IGBT速度较慢但电流更大
C: lGBT的控制门极输入电阻更高
D: IGBT的耐压能力与 MOSFET一样
举一反三
- IGBT是 MOSFET和双极型晶体管结构,其原理与 MOSFET基本相同,但与 MOSFET相比,
- 以下关于IGBT说法错误的是（ ）。 A: IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件 B: IGBT开关速度高于电力MOSFET C: IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 D: IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
- 以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件 B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短 D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
- 在 GTR、GTO、IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 () A: MOSFET B: GTO C: IGBT D: GTR
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题