中国大学MOOC: 电路如图所示，要使得晶体管工作在饱和区，且有ID=0.4mA，VD=0.5V；已知该NMOS晶体管的Vt=0.7V，L=1µm，W=32µm，http://img1.ph.126.net/SNU3Eu7G6L73WMdPVLD7RQ==/3283124128453642933.png，忽略沟道长度调制效应，则电阻http://img0.ph.126.net/qXbRnSO4FWUe1VXP1hwwnw==/3050344322713776504.png =（ ）kΩ，http://img0.ph.126.net/eZlSoxa9g0Wm8wqlZjBbPQ==/1132092356347700457.png=（ ）kΩ。
举一反三
- 中国大学MOOC: 已知某NMOS器件的Vt=1V，http://img1.ph.126.net/LndcYLDQZClWj2BfcevyOQ==/6597776752635660163.png，http://img2.ph.126.net/Fij6ZTBqzQqwvUzUWTDQQQ==/6619298593235108078.png=50V，且工作点电流http://img0.ph.126.net/IDZ9ov1XEA9uepAUpY_TFw==/6619348071258358152.png=0.5mA，则其小信号模型参数http://img1.ph.126.net/AflfL1eEC-ZfYTNnfGW5Yg==/6619345872235177090.png=（ ）mA/V，http://img1.ph.126.net/SDBQwFC15ikXKQBgD_Lj2A==/6608781764515790065.png=( )kΩ。
- 文法G[N]为：N→D|ND D→0|1|2|3|4|5|6|7|8|9 G[N]的语言是什么？ A: L(G[N])={[img=23x19]180344213df2ad7.png[/img] | V∈ {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9},n>=1} B: L(G[N])={非负整数} C: L(G[N])={允许0 开头的非负整数} D: L(G[N])={[img=23x19]180344213df2ad7.png[/img] | V∈ {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9},n>=0}
- 图所示机构的自由度为（ ）。[img=175x154]18034e434a30cd8.jpg[/img] A: n=7, PL=10, Ph=1, F=0 B: n=7, PL=10, Ph=1, F=0 C: n=8, PL=12, Ph=0, F=0 D: n=7, PL=10, Ph=0, F=1
- 图所示机构的自由度是（ ）。[img=374x158]18034e4940516e4.png[/img] A: n=7, PL=9, Ph=1, F=2 B: n=8, PL=10, Ph=1, F=3 C: n=8, PL=11, Ph=1, F=1 D: n=7, PL=10, Ph=0， F=1
- 图所示机构的自由度是（ ）。[img=225x225]18034e49029b42b.jpg[/img] A: n=7, PL=10, Ph=0, F=1 B: n=9, PL=12, Ph=2, F=1 C: n=8, PL=11, Ph=1, F=1 D: n=8, PL=11, Ph=0, F=2