IGBT是由晶闸管和电力MOSFET合成的器件。（ ）
举一反三
- 下列器件中，不属于全控型器件的是（ ）? IGBT ;|晶闸管|GTR|电力MOSFET ;
- 下列电力电子器件中,全控型器件有( ) A: 电力二极管 B: 晶闸管 C: MOSFET D: IGBT
- 属于全控型器件的是（ ）。 A: 晶闸管 B: 电力MOSFET C: IGBT D: GTR E: GTO
- 以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件 B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短 D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题