以下关于IGBT说法正确的是（ ）。
A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
举一反三
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有? IGBT是电压驱动型器件|IGBT开关速度高于电力MOSFET|IGBT具有擎住效应|电力MOSFET存在二次击穿问题
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- IGBT是由晶闸管和电力MOSFET合成的器件。（ ）
- 以下关于IGBT说法错误的是（ ）。 A: IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件 B: IGBT开关速度高于电力MOSFET C: IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 D: IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构