IGBT优点（ ）。
A: 开关速度高，开关损耗小
B: 具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低
C: 工作频率高，不存在二次击穿问题
D: 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小
A: 开关速度高，开关损耗小
B: 具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低
C: 工作频率高，不存在二次击穿问题
D: 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小
举一反三
- 填入电力MOSFET的缺点。器件优点缺点IGBT开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压、电流容量不及GTOGTR电流大,通流能力强,饱和电压降低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 A: 开关速度低于电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO B: 电流容量小，耐压低 C: 一般只适用于功率较小的电力电子装置 D: 主要技术难点集中于同一芯片上高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效处理
- GTR优点（ ）。 A: 耐压高，电流大，开关特性好 B: 通流能力强，饱和压降低 C: 通态压降较低，输入阻抗高 D: 为电压驱动，驱动功率小
- 功率场效应晶体管（PowerMOSFET）开关速度高，输入阻抗低，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，存在二次击穿问题（） A: 正确 B: 错误 C: 0 D: 0
- 关于IGBT说法错误的是（）。 A: 开关速度高 B: 通态压降较低 C: 电压驱动型器件 D: 驱动功率大
- 电压驱动型器件共同特点是（ ）。 A: 具有电导调制效应，因为通态压降低 B: 其余都不是 C: 驱动电路简单，工作频率高 D: 输入阻抗高，所需驱动功率小