GTR优点（ ）。
A: 耐压高，电流大，开关特性好
B: 通流能力强，饱和压降低
C: 通态压降较低，输入阻抗高
D: 为电压驱动，驱动功率小
A: 耐压高，电流大，开关特性好
B: 通流能力强，饱和压降低
C: 通态压降较低，输入阻抗高
D: 为电压驱动，驱动功率小
举一反三
- IGBT优点（ ）。 A: 开关速度高，开关损耗小 B: 具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低 C: 工作频率高，不存在二次击穿问题 D: 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小
- 既具备大功率晶体管GTR通态压降小、载流密度大、耐压高的特点，又拥有功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点的器件是 A: MOS B: IGBT C: 晶闸管 D: 二级管
- 关于IGBT说法错误的是（）。 A: 开关速度高 B: 通态压降较低 C: 电压驱动型器件 D: 驱动功率大
- 填入电力MOSFET的缺点。器件优点缺点IGBT开关速度较高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态电压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压、电流容量不及GTOGTR电流大,通流能力强,饱和电压降低开关速度低,为电流驱动,所需驱动功率大,驱动电路复杂,存在二次击穿问题GTO电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低电力MOSFET开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题 A: 开关速度低于电力MOSFET，电压、电流容量不及GTO B: 电流容量小，耐压低 C: 一般只适用于功率较小的电力电子装置 D: 主要技术难点集中于同一芯片上高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效处理
- IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。 A: 功率小 B: 开关频率低 C: 通态压降高 D: 损耗功率大