沟道夹断时的漏电压称为( )。
A: 饱和漏电压
B: 夹断电压
C: 饱和电压
D: 无法确定
A: 饱和漏电压
B: 夹断电压
C: 饱和电压
D: 无法确定
A
举一反三
内容
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假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
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在N沟道JFET中，随着栅源电压的反向增大，使沟道消失所对应的栅源电压称为（）。 A: 截止电压 B: 导通电压 C: 夹断电压 D: 预夹断电压
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对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
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假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
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测量某MOSFET的漏源电压为-3V,栅源电压为-2V，其开启电压或夹断电压为-1V，该管工作在（ ）。 A: 饱和区 B: 预夹断临界点 C: 可变电阻区 D: 截止区