夹断后再增漏电压，夹断点将向源端移动，但是夹断点的电位VP等于常数，称为( )。
A: 饱和漏电压
B: 夹断电压
C: 饱和电压
D: 无法确定
A: 饱和漏电压
B: 夹断电压
C: 饱和电压
D: 无法确定
举一反三
- 中国大学MOOC: 夹断后再增漏电压，夹断点将向源端移动，但是夹断点的电位VP等于常数，称为( )。
- 沟道夹断时的漏电压称为( )。 A: 饱和漏电压 B: 夹断电压 C: 饱和电压 D: 无法确定
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（）。 A: 此时满足条件 B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为 D: 沟道夹断区为耗尽区
- n沟增强型MOS管的源端接地，工作在饱和工作区时，以下说法中错误的是（ ）。 A: 此时满足条件VDS>VGS-VTH B: 沟道夹断点从源端向漏端移动 C: 沟道夹断点电压为VGS-VTH D: 沟道夹断区为耗尽区
- 假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。