当MOS管的衬底引线单独引出时，应将其接到电路中的电位最低点（对N沟道MOS管而言）或电位最高点（对P沟道MOS管而言），以保证沟道与衬底间的PN结处于反向偏置，使衬底与沟道及各电极隔离。
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
内容
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CMOS反相器基本电路包括（） A: P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管 B: P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 C: P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管 D: P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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N沟道增强型MOS管的衬底为 A: P型 B: N型
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为保证导电沟道与衬底之间的PN结反偏，N沟道器件的衬底通常接电路的最低电位。 A: 正确 B: 错误
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为保证导电沟道与衬底之间的PN结反偏，N沟道器件的衬底通常接电路的最低电位。
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结型场效应管的类型有（）。 A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管