当MOSFET工作在饱和区时，若VGS一定，VDS增加时，则其沟道长度L将会变（ ）。
举一反三
- P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。
- P沟道增强型MOSFET工作在饱和区的条件是vGS£VTP < 0和vDS £ vDS - VTP。 A: 正确 B: 错误
- P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是( )。 A: VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th) B: VGS>VGS(th),VDS C: VGSVGS-VGS(th) D: VGS
- N沟道增强型MOSFET，当VGS>VT，并且VDS>VGS-VT时，当d、s之间形成导电沟道，此时iD基本保持不变，场效应管工作于输出特性曲线的_______区
- 对于沟道长度足够短的MOSFET，其饱和区漏源电流 A: ∝(VGS -VT)^2 B: ∝W/L C: ∝L D: ∝Cox