对于沟道长度足够短的MOSFET,其饱和区漏源电流
A: ∝(VGS -VT)^2
B: ∝W/L
C: ∝L
D: ∝Cox
A: ∝(VGS -VT)^2
B: ∝W/L
C: ∝L
D: ∝Cox
举一反三
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后,会出现哪些现象:( )。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- 当MOSFET工作在饱和区时,若VGS一定,VDS增加时,则其沟道长度L将会变( )。
- 在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。
- MOSFET源极漏极间的长度L越大,沟道长度调制效应越明显。
- 对于N沟道JFET,对应栅源电压vGS ,漏源电压vDS,夹断电压vP,描述正确的是 。 A: vGS=0,vDS=0时,沟道不存在,漏极电流iD=0 B: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD=0 C: vGS=0,vDS=∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流饱和 D: vGS=0,vDS>∣vP∣时,沟道夹断,漏极电流iD继续增大