以下关于MOS倒相器的说法不正确的是（ ）。
A: NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B: 当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C: 当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D: 管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
A: NMOS漏极接VDD，源极加一个负载电阻，即构成一个倒相器
B: 当VGS=0，NMOS倒相器处于截止状态，VDS接近VDD
C: 当NMOS管导通时，输出电压VD下降
D: 管子工作于截止与导通两个状态，故倒相器起了开关的作用
举一反三
- 若想将N个并联NMOS管等效为倒相器中的NMOS管，他们的宽长比应该取为倒相器中NMOS管的1/N
- 中国大学MOOC: 考虑由负载电阻串联NMOS构成的倒相器，要减小该倒相器的功耗，则应___负载电阻；要增大输出摆幅，则应___负载电阻（ ）。
- 中国大学MOOC: 为了减小单沟道MOS集成倒相器导通时的输出电压，要求负载管的跨导___些，倒相管的跨导___些（ ）。
- 为了减小倒相器导通时的输出电流，要求( )。 A: 负载管的跨导大些 B: 倒相管的跨导小些 C: 倒相管的跨导大些 D: 无法确定
- 考虑由负载电阻串联NMOS构成的倒相器，要减小该倒相器的功耗，则应___负载电阻；要增大输出摆幅，则应___负载电阻（ ）。 A: 增大，增大 B: 增大，减小 C: 减小，增大 D: 减小，减小