关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。
A: 杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降
B: 低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降
C: 高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降
D: 当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素
A: 杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降
B: 低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降
C: 高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降
D: 当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素
举一反三
- 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 （ ） A: 并半导体 B: 本征半导体 C: 金属导体 D: 杂质半导体
- 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（） A: 杂质电离和电离杂质散射 B: 本征激发和晶格散射 C: 晶格散射 D: 本征激发
- 导体的电阻随温度的升高而增大,是因为导体的电阻率随温度的升高而增大。( )
- 金属导体的电阻率随温度升高而______；半导体的导电能力随温度升高而______
- 金属导体的电阻随温度升高而增加，其主要原因是（）。 A: 电阻率随温度升高而增大 B: 导体的截面积随温度升高而增大 C: 导体长度随温度升高而增大 D: 导体长度随温度升高而减小