对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中，AB段电阻率随温度升高而下降的原因是（）
A: 杂质电离和电离杂质散射
B: 本征激发和晶格散射
C: 晶格散射
D: 本征激发
A: 杂质电离和电离杂质散射
B: 本征激发和晶格散射
C: 晶格散射
D: 本征激发
举一反三
- 影响杂质半导体的电阻率随温度变化的因素有（） A: 杂质电离 B: 本征激发 C: 电离杂质散射 D: 晶格散射
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（ ）。 A: 电离杂质散射为主 B: 晶格散射为主 C: 本征激发起主要作用 D: 杂质完全电离
- 关于杂质半导体电阻率随温度的变化关系描述正确的有（）。 A: 杂质半导体的电阻率随温度升高单调下降 B: 低温下，半导体的电阻率随温度的升高而下降，主要因为载流子浓度随温度升高而升高，且杂质电离散射几率随温度升高而下降 C: 高温下，当本征激发称为主要矛盾时，其电阻率随温度升高而下降 D: 当温度升高到杂质基本电离，且本征激发不显著时，晶格振动散射成为影响电阻率的主要因素
- 随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
- 在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理以电离杂质散射为主。