只掺受主的p型半导体,在强电离区,费米能级随着温度升高如何变化?(
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A: 单调下降向本征费米能级靠近;
B: 单调上升向本征费米能级靠近;
C: 先上升后下降,逐渐向本征费米能级靠近;
D: 先下降后上升,逐渐向本征费米能级靠近;
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A: 单调下降向本征费米能级靠近;
B: 单调上升向本征费米能级靠近;
C: 先上升后下降,逐渐向本征费米能级靠近;
D: 先下降后上升,逐渐向本征费米能级靠近;
举一反三
- p型半导体，随着掺杂浓度增加，费米能级（ ）。 A: 上升靠近导带底 B: 下降靠近价带顶 C: 不变 D: 上升靠近本征费米能级
- 对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度的上升而 A: 单调上升 B: 单调下降 C: 经过一极小值趋近本征费米能级 D: 经过一极大值趋近本征费米能级
- 以下关于“费米能级的变化”说法正确的是： A: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 关于费米能级,正确的说法是( ) A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关 C: P型半导体的费米能级靠近导带底部 D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心