以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
A: 表面处费米能级与本征费米能级重合
B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D: 表面势等于费米势的两倍
E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
A: 表面处费米能级与本征费米能级重合
B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央
C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等
D: 表面势等于费米势的两倍
E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
举一反三
- 费米电势与和有关,其值取决于本征费米能级和费米能级之差。
- n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
- 关于费米能级,正确的说法是( ) A: 处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级 B: 费米能级是物质的固有属性,与环境温度无关 C: P型半导体的费米能级靠近导带底部 D: 本征半导体的费米能级位于禁带中心
- 只掺受主的p型半导体,在强电离区,费米能级随着温度升高如何变化?(<br/>) A: 单调下降向本征费米能级靠近; B: 单调上升向本征费米能级靠近; C: 先上升后下降,逐渐向本征费米能级靠近; D: 先下降后上升,逐渐向本征费米能级靠近;
- 下列关于费米能级的说法错误的是（ ）。 A: 费米能级表征电子的填充情况，费米能级以上的量子态被电子占据的概率很小，费米能级以下的量子态被电子占据的概率很大 B: 本征半导体的费米能级大致在禁带中央附近 C: N型半导体的费米能级比较靠近价带顶 D: N型半导体掺杂越高，费米能级离禁带中央越远