下列关于外光电效应表述正确的是：
A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；
B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；
C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；
D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；
B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；
C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；
D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。
举一反三
- 本征激发指的是哪种电子跃迁？? 受主态上的电子跃迁到价带。|价带的电子跃迁到导带。|施主态上的电子跃迁到导带。|导带的电子跃迁到价带。
- 半导体材料中的价带电子通过一定能量的激发可以从价带跃迁到导带。
- 用E0表示真空中静止电子的能量，半导体中电子亲合能为： A: E0与半导体费米能级之差 B: E0与半导体本征费米能级之差 C: E0与半导体价带顶之差 D: E0与半导体导带底之差
- 对于宽带隙的半导体，激发电子从价带进入导带需要更低的能量。（ ）
- 关于绝缘体、半导体及导体，说法正确的是 A: 绝缘体能带图上表现为大的禁带宽度，价带内能级被填满，导带空着 B: 半导体能带图上表现为禁带宽度较小，价带内的能级被填满，一部分电子能够从价带跃迁到导带，在价带留下空穴 C: 半导体导带或者被部分填充，或者与价带重叠 D: 绝对零度时，半导体价带被电子填满，导带被电子部分填满