下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。

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2022-06-06

下列关于外光电效应表述正确的是： A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和； B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量； C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差； D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。

下列关于外光电效应表述正确的是：
A: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙与电子亲和势的能量之和；
B: 对于本征半导体，电子从价带顶跃迁到导带所需最小能量为带隙的能量；
C: 对于N型半导体，电子从施主能级跃迁到导带所需的最小能量为导带底与施主能级的能量之差；
D: 对于P型掺杂半导体，电子从价带跃迁到受主能级所需的最小能量为受主能级与价带顶的能量之差。

答案：

A,C,D

举一反三

内容

0
半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。 A: 价带，导带 B: 价带，禁带 C: 禁带，导带 D: 导带，价带
1
Ec 称为价带顶，它是价带电子的最高能量。Ev 称为导带底，它是导带电子的最低能量。
2
深能级指能量很靠近导带底的电子束缚态，或能量很接近价带顶的空穴束缚态。
3
本征半导体的特点是（） A: 电子和空穴浓度相等 B: 电子和空穴浓度不相等 C: 费米能级处于导带底和价带顶的中间 D: 费米能级处于价带底和导带顶的中间。
4
施主能级接近于价带顶，而受主能级接近于导带底。