3．只要晶体三极管的b-e间电压[mathjaxinline]u_{\rm{BE}}[/]大于开启电压[mathjaxinline]U_{\rm{on}}[/]，它就工作在放大区。
A: Yes
B: No
A: Yes
B: No
举一反三
- 只要晶体三极管的b-e间电压$u_{\rm{BE}}$大于开启电压$U_{\rm{on}}$，它就工作在放大区。 A: Yes B: No
- 4、电路如下图所示，所有晶体管的[mathjaxinline]\beta[/]相同，饱和管压降[mathjaxinline]\left| {{U_{{\mathop{\rm CES}\nolimits} }}} \right|[/]＝1V，[mathjaxinline]V_{\rm {CC}}[/]＝15V。（1）构成输出级的晶体管是_____。 A: T5T6 B: T7T8 C: T9T10
- （2）耗尽型MOS管与结型场效应管相同，[mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/]=0时都可能工作在恒流区。 A: Yes B: No
- （1）电路如下图所示，已知集成运放为理想运放，计算电压放大倍数表达式为[mathjaxinline]A_{\rm {uf}}[/]=_____。 A: [mathjaxinline]\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]1+\frac{R_2}{R_1}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]\frac{R_2+R_3}{R_1}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]1+\frac{R_3}{R_1}[/mathjaxinline]
- 选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]