选择正确答案填入空内：使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] B: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(th)}[/mathjaxinline] C: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]大于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline] D: [mathjaxinline]u_{\rm {GS}}[/mathjaxinline]小于[mathjaxinline]U_{\rm {GS}(off)}[/mathjaxinline]

设总体X~N($\mu,{\sigma}^2$),$\mu,{\sigma}^2$未知，$x_{1},x_{2},...,x_{n} $ 是来自该总体的样本，记$\overline x=\frac{1}{n}\sum\limits_{i = 1}^{n}{x_{i}}$,则对假设检验$ H_{0}:u=u_{0},H_{1}:u!=u_{0}$的拒绝域为()

设某天平的测量值服从正态分布N($\mu,\frac{1}{8}<br/>$),用该天平测量物体甲与物体乙的质量，分别独立地测量4次，测得的<br/>平均质量分别为5.5克与5.2克，则两物体质量差置信水平0.95的置信区间为（） A: $(0.3 - \frac{1}{8}{u_{0.975}},0.3 + \frac{1}{8}{u_{0.975}})$ B: $(0.3 - \frac{1}{8}{u_{0.625}},0.3 + \frac{1}{8}{u_{0.625}})$ C: $(0.3 - \frac{1}{4}{u_{0.975}},0.3 + \frac{1}{4}{u_{0.975}})$ D: $(0.3 - \frac{1}{}{u_{0.625}},0.3 + \frac{1}{4}{u_{0.625}})$

（3）运算电路的描述方法采用运算关系式即 $u_{\rm {O}}= f(u_{\rm {I}})$。 A: No B: Yes

只要晶体三极管的b-e间电压$u_{\rm{BE}}$大于开启电压$U_{\rm{on}}$，它就工作在放大区。 A: Yes B: No

分析运放的两个依据是（ ） A: U_≈U+ B: U_≈U+=0 C: I_≈I+=0 D: I_≈I+

基准电压$U_{\rm {REF}}$应为______ V；

（4） $u_{\rm o}$幅值增大。<br/>______

下列哪个序列相关可用DW检验（v_t为具有零均值，常数方差且不存在序列相关的随机变量） （ ）。 A: u_t＝ρ*u_(t－1)+v_t B: u_t＝ρ*u_(t－1)+ρ^2*u_(t－2)+…+v_t C: u_t＝ρ*v_t D: u_t＝ρ*v_t+ρ*2 v_(t-1) +…

当电流$I$大于______ $\mu A$时，$u_{\rm o}$ =$-$5V。