硅二极管的死区电压为 V, 锗二极管的死区电压为 V。
0.5#0.2
本题目来自[网课答案]本页地址:https://www.wkda.cn/ask/eeppmyyzjzmpoxto.html
举一反三
内容
- 0
二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
- 1
按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 2
硅二极管的死区电压为__V,锗二极管的死区电压为__V。 A: 0.10.2 B: 0.20.3 C: 0.50.2 D: 0.40.7
- 3
硅管的死区电压约为 V,锗管的死区电压约为 V。
- 4
锗二极管的死区电压为( )V