• 2022-07-27
    下列关于CCD的工作过程论述正确的是:
    A: 当一束光照射到MOS管电容上时,在光子的作用下产生光生电子空穴对,在外加电场的作用下,向电极两端移动,这些光生电子被附近的势阱所吸引并存储。
    B: 外加在MOS管电容器上的电压越高,产生的势阱越深;
    C: 外加在MOS管电容器上的电压一定时,产生的势阱的深度水势阱中电荷量的增加而线性下降。
    D: 为了让信号电荷按照规定的方向转移,可以在MOS管电容阵列上加具有一定相位差的驱动时钟脉冲。
    E: CCD信号电荷只能以电流的方式输出。
  • A,B,C,D

    内容

    • 0

      CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(<br/>)成正比。 A: 栅极电压VG B: 驱动时钟脉冲频率f C: 总受光量

    • 1

      直流偏置为VDD时,下列关于最高振荡频率说法错误的是( )。 A: MOS管最高振荡频率工作时一定工作在饱和区 B: MOS管最高振荡频率工作时电流均流向输出回路 C: 过驱动电压越高,MOS管最高振荡频率越高 D: 栅电容越大,MOS管最高振荡频率越高

    • 2

      CCD势阱能收集的最大电荷量取决于()。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料

    • 3

      利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用来存储信息的为( )RAM。

    • 4

      RAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的