导通后二级管两端电压变化很小 锗管约为( )。
A: 0.5v
B: 0.7V
C: 0.3V
D: 0.1V
A: 0.5v
B: 0.7V
C: 0.3V
D: 0.1V
C
举一反三
- 导通后二级管两端电压变化很小 锗管约为( )。 A: 0.5v B: 0.7V C: 0.3V D: 0.1V
- 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。 A: 0.5V B: 0.7V C: 0.3V D: 0.1V
- 二极管导通后，其二极管两端电压变化很小，锗管约为（） A: 0.5V B: 0.7V C: 0.3V D: 0.1V
- 二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。 A: 0.3 B: 0.5 C: 0.7 D: 0.9
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
内容
- 0
二极管导通后，锗管的管压降约为（ ）。 A: 0.1V B: 0.3V C: 0.5V D: 0.7V
- 1
硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 2
锗pn结的正向导通电压大约为（ ）V。 A: 0.1 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 3
极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，锗管约为 ，硅管约为 。 A: 0.1V B: 0.3V C: 0.5V D: 0.7V
- 4
锗管和硅管的PN结导通电压分别约为（ ） A: 0.7V、0.5V B: 0.3V、0.7V C: 0.7V、0.1V D: 0.7V、0.3V