p沟道MOSFET，其衬底为（）型，当栅极施加适当负压后，可形成（）导电沟道。
举一反三
- PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- MOSFET的导电沟道是通过栅极和衬底之间的电压产生的。
- 下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。 A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管