MOSFET的导电沟道是通过栅极和衬底之间的电压产生的。
举一反三
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
- 电力MOSFET导通表述正确的是： A: 当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
- p沟道MOSFET，其衬底为（）型，当栅极施加适当负压后，可形成（）导电沟道。
- MOSFET开关的基本工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的导电沟道的通断。
- N沟道耗尽型MOS管,是在栅极和衬底之间的绝缘层中掺入大量的正离子,即使栅-源电压为零,衬底表层也存在导电沟道