中国大学MOOC: 某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
举一反三
- 中国大学MOOC: 某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。
- 某绝缘栅场效应管的开启电压为4V，源极电位-2V，栅极电位3V，漏极电位-1.2V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: N沟道增强型管，工作在可变电阻区 B: N沟道耗尽型管，工作在放大区 C: P沟道增强型管，工作在截止区 D: P沟道耗尽型管，工作在放大区
- 某结型场效应管的夹断电压为3V，源极电位1V，栅极电位3V，漏极电位-10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在放大区 D: N沟道管，工作在可变电阻区
- 某结型场效应管的夹断电压为-3V，源极电位3V，栅极电位-1V，漏极电位10V，则下述关于该FET说法正确的是（ ）。 A: P沟道管，工作在可变电阻区 B: N沟道管，工作在放大区 C: P沟道管，工作在截止区 D: N沟道管，工作在截止区
- 测得某PNP型晶体管E极电位为0.4 V,B极电位为1.2 V,C极电位为1.5 V,可判断出其工作状态为______