硅二极管的正向导通电压约为()V
A: 0
B: 0.7
C: 0.2
D: 0.5
A: 0
B: 0.7
C: 0.2
D: 0.5
B
举一反三
- 硅二极管正向导通时，其两端电压约为（ ）V A: 0.7 B: 0 C: 0.2 D: -0.7
- 硅二极管正向导通时，其两端电压约为（ ）V A: 0 B: 0.7 C: 0.2 D: 1.0
- 硅二极管正向导通时,其正向电压为....................................() A: 0.2∨ B: 0.7∨ C: 0.5∨ D: -0.7∨
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
内容
- 0
按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 1
对于硅二极管其正向导通电压一般为（）V A: 0.2 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7
- 2
硅二极管正向导通的压降约为（ ） A: 0.7 B: 0.2 C: -0.7 D: 0
- 3
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
- 4
硅二极管的死区电压约为（）。 A: 0.2 B: 0.3 C: 0.5 D: 0.7