阻容耦合放大器的下限频率主要由（）决定。
A: 晶体管的结电容
B: 静态工作点
C: 晶体管的分布电容
D: 放大电路中的耦合电容
A: 晶体管的结电容
B: 静态工作点
C: 晶体管的分布电容
D: 放大电路中的耦合电容
举一反三
- 阻容耦合的单管放大电路的下限截止频率与（ ）有关， A: 耦合电容和旁路电容 B: 结电容和极间电容 C: 分布电容
- 影响放大电路通频带的因素有哪些 A: 耦合电容 B: 晶体管的结电容和电路的分布电容 C: 旁路电容
- 阻容耦合的放大电路中，影响上限频率的主要因素为（ ）。 A: 耦合电容 B: 分布电容 C: 耦合电容及分布电容 D: 其它答案均不对
- 阻容耦合放大电路中的耦合电容、旁路电容越多,低频特性越差,下限频率越高
- 放大电路在高频信号作用下放大倍数数值下降的原因是（ ） A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 晶体管极间电容和分布电容的存在 C: 半导体管的非线性特性 D: 放大电路的静态工作点不合适