半径为 R 的无限长圆柱体内均匀带电，电荷体密度为[img=10x18]1802f95bec39e8d.png[/img]。以圆柱体轴线为电势的零参考点，计算圆柱体内距轴线为 r （rA: [img=91x42]1802f95bf562463.png[/img]
B: [img=58x42]1802f95bfdb33ae.png[/img]
C: [img=42x42]1802f95c05a0912.png[/img]
D: [img=42x42]1802f95c0e67230.png[/img]
B: [img=58x42]1802f95bfdb33ae.png[/img]
C: [img=42x42]1802f95c05a0912.png[/img]
D: [img=42x42]1802f95c0e67230.png[/img]
举一反三
- 径为R的无限长圆柱体均匀带电r，求圆柱体内、外任意点的场强（距离圆柱体中心轴为r）分别为[ ] A: [img=68x49]18035e9591f2e55.png[/img] B: [img=43x42]18035e959a4ea67.png[/img] C: [img=51x49]18035e95a1fdd33.png[/img] D: [img=68x49]18035e95aa90230.png[/img]
- 半径为R的无限长直圆柱体内均匀地分布着电荷，体密度为 ρ，求离轴线为r处E的大小。 A: 圆柱体内 [img=64x42]1802f949b8de7b6.png[/img]；圆柱体外 [img=76x49]1802f949c17fdc8.png[/img] B: 圆柱体内[img=53x42]1802f949c9d6ec1.png[/img]；圆柱体外 [img=76x49]1802f949c17fdc8.png[/img] C: 圆柱体内[img=64x42]1802f949b8de7b6.png[/img]圆柱体外[img=76x49]1802f949e3e96dc.png[/img] D: 圆柱体内[img=53x42]1802f949c9d6ec1.png[/img]圆柱体外[img=76x49]1802f949e3e96dc.png[/img]
- 一半径为R的无限长圆柱体，载有强度为I的稳恒电流，并沿轴线方向均匀通过其圆柱体截面，其内部充有相对磁导率为[img=20x23]1803a128695f782.png[/img]的磁介质，则： A: 圆柱体内任意一点的磁感应强度为[img=42x43]1803a12875ae00b.png[/img]； B: 圆柱体内任意一点的磁场强度为[img=42x42]1803a12881f2b15.png[/img]； C: 圆柱体外任意一点的磁感应强度为[img=32x43]1803a1288d94e2b.png[/img]； D: 圆柱体外任意一点的磁场强度为[img=32x43]1803a12898ac9f7.png[/img]。
- 一半径为R的无限长圆柱体，载有强度为I的稳恒电流，并沿轴线方向均匀通过其圆柱体截面，其内部充有相对磁导率为[img=20x23]1803b2ea88e87c2.png[/img]的磁介质，则： A: 圆柱体内任意一点的磁感应强度为[img=42x43]1803b2ea92ce88d.png[/img]； B: 圆柱体内任意一点的磁场强度为[img=42x42]1803b2ea9e119ef.png[/img]； C: 圆柱体外任意一点的磁感应强度为[img=32x43]1803b2eaa90426d.png[/img]； D: 圆柱体外任意一点的磁场强度为[img=32x43]1803b2eab361840.png[/img]。
- 设0<b<1，a为正奇数，定义函数f:R[img=18x11]18033d3e7533af9.png[/img]R为[img=178x60]18033d3e8089afa.png[/img]，则下列说法不正确的是 A: f(x)在R上一致收敛 B: f(x)在R上连续 C: [img=94x43]18033d3e89e2453.png[/img]时，f(x)在R上处处可导 D: [img=94x43]18033d3e89e2453.png[/img]时，f(x)在R上处处不可导