过剩载流子的复合描述不正确的是（ ）
A: 过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同
B: 直接的带间复合是一种自发行为
C: 电子和空穴的复合率是时间的函数
D: 复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例
A: 过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同
B: 直接的带间复合是一种自发行为
C: 电子和空穴的复合率是时间的函数
D: 复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例
举一反三
- 关于热平衡状态下载流子的产生和复合描述不正确的是（ ） A: 载流子的产生是电子和空穴的生成过程 B: 载流子的复合是电子和空穴消失的过程 C: 热平衡态的任何偏离都能导致电子和空穴浓度的变化 D: 在热平衡状态下，载流子的产生率和复合率不相等
- 半导体中的载流子复合的途径，不包括（ ） A: 带间电子- 空穴间接复合 B: 通过价带内的复合中心进行复合 C: 带间电子- 空穴直接复合 D: 通过禁带内的复合中心进行复合
- 过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。
- 过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。 A: 正确 B: 错误
- 电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的复合称为： A: 直接复合 B: 间接复合 C: 俄歇复合 D: 表面复合