过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。
举一反三
- 过剩电子和空穴的复合率决定于半导体的过剩少子的寿命。 A: 正确 B: 错误
- 过剩载流子的复合描述不正确的是（ ） A: 过剩电子和空穴是成对复合的，复合率相同 B: 直接的带间复合是一种自发行为 C: 电子和空穴的复合率是时间的函数 D: 复合的概率必须同时与电子和空穴的浓度成比例
- P型半导体中（ ）是少子，少子数目主要决定于（ ） A: 空穴，温度 B: 空穴，掺入杂质的原子浓度 C: 电子 ，温度 D: 电子，掺入杂质的原子浓度
- P型半导体的多子是____,N型半导体的少子是____?( ) A: 电子,电子 B: 空穴,空穴 C: 电子,空穴 D: 空穴,电子
- P型半导体的多子是 ,N型半导体的少子是 。 A: A空穴，电子 B: B空穴，空穴 C: C电子，空穴 D: 电子，电子