直接复合时，小注入的小注入的N 型半导体的非平衡载流子寿命 [img=35x37]17da6df53c17303.jpg[/img]决定于（ ）
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举一反三
- 直接复合时，小注入的小注入的P 型半导体的非平衡载流子寿命[img=35x37]17d622fd805b8a7.jpg[/img] 决定于（ ） 未知类型：{'options': ['', '', '其他', ''], 'type': 102}
- 直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命 td 决定于 。 未知类型：{'options': ['', '', '', '其它'], 'type': 102}
- 小注入条件下，对于n型半导体的直接复合，若电子-空穴复合概率为[img=9x14]18034f8ad1b5e8b.png[/img]，则非平衡载流子的寿命为（） 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
- 对于强N型半导体的直接复合，小注入时的非平衡载流子的寿命与（ ）成反比，大注入时则与（ ）成反比。 A: [img=48x23]1802f7f8b18ae98.png[/img] B: [img=48x23]1802f7f8baa2a2d.png[/img] C: [img=45x23]1802f7f8c297d6d.png[/img] D: [img=46x23]1802f7f8ca89fed.png[/img]