直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。
A: 少子浓度
B: 多子浓度
C: 非平衡少子浓度
A: 少子浓度
B: 多子浓度
C: 非平衡少子浓度
B
举一反三
- 对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（） A: 平衡载流子浓度成正比 B: 非平衡载流子浓度成正比 C: 平衡载流子浓度成反比 D: 非平衡载流子浓度成反比
- 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A: 非平衡载流子浓度成正比； B: 平衡载流子浓度成正比； C: 非平衡载流子浓度成反比； D: 平衡载流子浓度成反比。
- 关于非平衡载流子的说法，正确的有： A: 一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。 B: 小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。 C: 非平衡少数载流子起重要作用。 D: 非平衡多数载流子起重要作用。
- 小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度 A: 正确 B: 错误
- 半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所说的非平衡载流子是指非平衡少子。 A: 正确 B: 错误
内容
- 0
中国大学MOOC: 小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度
- 1
直接复合时，小注入的n型半导体的非平衡载流子寿命τ主要决定于（ ）。 A: 1 /rn0 B: 1 /rp0 C: 1 /r△n D: 1 /r△p
- 2
PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（） A: 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散 B: 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移 C: 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散 D: 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
- 3
直接复合时，小注入的小注入的N 型半导体的非平衡载流子寿命 [img=35x37]17da6df53c17303.jpg[/img]决定于（ ） 未知类型：{'options': ['', '', '其他', ''], 'type': 102}
- 4
直接复合时，小注入的P型半导体的非平衡载流子寿命 td 决定于 。 未知类型：{'options': ['', '', '', '其它'], 'type': 102}