放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是：（ ）
A: 耦合电容和旁路电容的存在
B: 半导体管的非线性特性
C: 半导体管极间电容和分布电容的存在
D: 放大电路的静态工作点不合适
A: 耦合电容和旁路电容的存在
B: 半导体管的非线性特性
C: 半导体管极间电容和分布电容的存在
D: 放大电路的静态工作点不合适
举一反三
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是：（ ） A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 半导体管的非线性特性 C: 半导体管极间电容和分布电容的存在 D: 放大电路的静态工作点不合适
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数的数值下降原因是( )。 A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 半导体管极间电容和分布电容的存在 C: 放大电路的静态工作点不合适 D: 耦合电容和极间电容共同作用
- 低频信号作用时放大电路放大倍数数值下降的原因是（ ）。 A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 半导体管极间电容和分布电容的存在 C: 半导体管的非线性特性 D: 放大电路的静态工作点不合适
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。 A: 耦合电容和旁路电容的存在 B: 半导体管极间电容和分布电容的存在 C: 半导体管的非线性特点 D: 放大电路的静态工作点不合适
- 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ） 。 A: 半导体管的非线性特性 B: 放大电路的静态工作点不合适 C: 半导体管极间电容和分布电容的存在。 D: 耦合电容和旁路电容的存在