硅二极管和锗二极管的导通电压分别为
举一反三
- 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 A: 0.2-0.3V和0.6-0.7V B: 0.2-0.3V和0.2-0.3V C: 0.6-0.7V和0.6-0.7V D: 0.6-0.7V和0.2-0.3V
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
- 二极管的导通电压硅管为0.3v，锗管为0.7v
- 二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。