【填空题】当加在二极管上的正向电压超过 () 电压 ( 硅管约为 () 伏 , 锗管约为 () 伏 ) 时 , 电流才随正向偏压的升高而迅速增大 , 二极管进入 () 状态 , 二极管正常导通后 , 其两端电压近于定值 , 硅管的正向压降约为 (), 锗管的正向压降约为 () 伏 .
门坎,0.5,0.2,导通,0.7,0.3
举一反三
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，锗管约为（ ），硅管约为（ ）。
- 导通以后，二极管两端的正向电压可近似地认为是导通时的管压降，硅管约为( )V，锗管约为（ ）伏。 A: 0.7、0.3 B: 0.3、0.7 C: 0.5、0.5 D: 0.5、0.2
- 二极管的主要特性是具有____。硅二极管死区电压约为____V,锗二极管死区电压约为____V。硅二极管导通时的管压降约为____V,锗二极管导通时的管压降约为____V
内容
- 0
二极管导通时正向压降硅管约为（ ），锗管约为（ ）。 A: 0V；0V B: 0.2V；0.3V C: 0.7V；0.3V
- 1
以下关于半导体二极管说法正确的有（ ）。 A: 半导体二极管外施正偏电压时，势垒区变窄 B: 半导体二极管正向偏置时，扩散电流大于漂移电流，总电流方向与扩散电流一致 C: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V D: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.1V，正向导通的管压降约为0.2V E: 常温下，锗二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V F: 常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，正向导通的管压降约为0.7V
- 2
二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
- 3
硅二极管的正向管压降约为0.7V（）
- 4
在常温下，硅二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；锗二极管的门限电压约为（__）V，饱和导通后正向压降约为（__）V；发光二极管饱和导通后正向压降约为（__）V。