用16K × 1位的DRAM芯片构成64K × 8位的存储器。要求：
（1）画出该存储器组成的逻辑框图。
（2）设存储器读 / 写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存贮单元刷新一遍，所需实际刷新时间是多少？
（1）画出该存储器组成的逻辑框图。
（2）设存储器读 / 写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次。试问采用哪种刷新方式比较合理？两次刷新的最大时间间隔是多少？对全部存贮单元刷新一遍，所需实际刷新时间是多少？
举一反三
- 用容量为16K×1的DRAM芯片构成64KB的存储器。设存储器的读／写周期均为0.5μs，CPU在1μs内至少要访存一次，试问采用哪种刷新方式比较合理？相邻两行之间的刷新间隔是多少？对全部存储单元刷新一遍所需的实际刷新时间是多少？
- 有一个64K×16位的存储器，由16K×1位的DRAM芯片（芯片内是128×128结构）构成，存储器读/写周期为500ns，问: （1）需要多少片DRAM芯片？ （2）采用异步刷新方式，如单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？ （3）如果用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少时间？
- DRAM刷新周期指的是从上一次对整个存储器刷新结束到下一次对整个存储器全部刷新一遍为止的时间间隔
- 一个1K×4位的动态RAM芯片，若其内部结构排列成64x64形式，且存取周期为0.lµs 1)若采用异步刷新的方式，刷新信号周期应取多少？ 2)若采用集中刷新，则对该存储芯片刷新一遍需多少时间？死时间率是多少？
- 在半导体存储器中，动态随机存储器DRAM的特点是______。 A: 按位结构方式存储 B: 按字结构方式存储 C: 信息在存储介质中移动 D: 每隔一定时间刷新一次